產品描述
LET-5000半導體測試系統是一款測量與分析功率半導體器件靜態參數的專用儀器，為所有類型的功率半導體器件提供靜態參數測量解決方案。
LET-5000半導體測試系統能在2200V（可擴展為10KV）和1000A （可擴展為6000A）的條件下實現精確測量、分析功率半導體器件的靜態參數。
LET-5000具有快脈沖能力，并具有優異的寬電壓和電流測量能力。這些功能能夠對最新的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）進行測量，可以測試器件包括：MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多個獨立的高精度源組成，每個功率源模塊上配備兩個獨立的模數(AD)轉換器支持2μs采樣率，每個模塊上的驅動能夠獨立精確控制，對有可能影響器件特性的關鍵計時進行精確監測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA 級漏電流測量能力等特點，支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
優勢
硬件優勢>>>
力鈦科LETAK功率器件靜態參數 測試系統，配置有多種測量單元模塊， 模塊化的設計測試方法靈活，能夠極 大方便用戶添加或升級測量模塊，適 應測量功率器件不斷變化的需求。
◆ 高電壓達8000V(最大擴展至10kV)
◆ 大電流達6000A(多模塊并聯)
◆ nA級漏電流μQ 級導通電阻
◆ 高精度測量0.1%
◆ 模塊化配置可添加或升級測量單元
◆ 測試效率高、自動切換、一鍵測試
◆ 兼容多種封裝根據測試需求定制夾具
軟件特點>>>
◆ 測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多 量程設計，測試精度為0.1%
◆ 柵極-發射極，最大支持30V/10A 脈沖電流輸出與測 試，可測試低至pA級漏電流
◆ 集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型 上升時間為15 μs, 且具備電壓高速同步采樣功能
◆ 最高支持8000V電壓輸出，且自帶漏電流測量 功能
◆ 電容特性測試包括輸入電容、輸出電容、以及 反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz
相關參數
被測對象及主要測試參數 >>>
被測對象 | 主要測試參數 |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二極管 |
雙極 | Ic-Vc、二極管、Gummel 圖、擊穿、hfe、電容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容、QSCV等 |
內存 | Vth、電容、耐久測試等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,電容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),擊穿 |
太陽能電池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特圖、DLCP 等。 |
納米器件 | 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 電流衰減、Id-Vds 電流衰減、二極管電流 |
LET-5000系統參數>>>
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN 等產品，力鈦科提供整套測試夾具解決方案， 可用于TO 單管，半橋模組等產品的測試，后期可根據客戶需求來定制化相對應封裝。
訂貨規格：
LET-5210 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-1000A
LET-5220 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-2000A
LET-5230 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-3000A
LET-5240 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-4000A
LET-5250 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-5000A
LET-5260 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-6000A
LET-5310 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-1000A
LET-5320 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-2000A
LET-5330 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-3000A
LET-5340 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-4000A
LET-5350 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-5000A
LET-5360 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-6000A
LET-5810 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-1000A
LET-5820 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-2000A
LET-5830 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-3000A
LET-5840 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-4000A
LET-5850 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-5000A
LET-5860 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-6000A